EOT(Electro-Optics Technology)专注于提供基于 PIN 光电二管封装成光电探测器,有三种类型的光电探测器可支持您的实验室和 OEM 需求,能提供带宽 <10 GHz 光电探测器(用于一般应用),带宽>10 GHz 光电探测器(用于高重复频率应用),以及带放大探测器(用于低能量脉冲,包括跨阻放大器)。
(1)EOT光电探测器产品特征:
• 紧凑型集成封装
紧凑型封装中的完整即用型光电探测器,包括电压偏置。
• 灵活的选项
有自由空间或光纤耦合选项,有多种入射角度(半角)可选。
• 操作简单
通过后50Ω阻抗直接插入示波器或频谱分析仪。
(2)EOT光电探测器产品分类
产品类别和产品外观 | 输入选项(空间光或光纤) 光电探测器输出选项 | 应用方向 |
带宽<10 GHz 光电探测器 | 空间光和光纤输入可选; BNC输出接头
| Ø 监测调Q激光器输出 Ø 监测锁模激光器输出 |
带宽>10 GHz 光电探测器 | 可选择单模或多模光纤,或自由空间输入选项; SMA输出接头
| Ø 监测调Q激光器输出 Ø 监测锁模激光器输出 Ø 监测外部调制的连续波激光器输出 Ø 监测高频外差应用 Ø 时域和频域响应测量 |
带放大光电探测器 | 只有空间光输入版本; BNC输出接头 | Ø 监测高重复频率 Ø 监测外部调制的连续波激光器输出 Ø 监测<1mW激光功率 |
(3)EOT光电探测器主要参数:
² 带宽<10 GHz 光电探测器
型号 | 120-10011-0001 | 120-10028-0001 | 120-10133-0001 | 120-10134-0001 | 120-10034-0001 | 120-10050-0001 |
探测器材料 | Silicon | Silicon | Silicon | Silicon | InGaAs | InGaAs |
上升/下降时间 | <300 ps/<300 ps | <30 ns/<30 ns | <320 ps/<320 ps | 3 ns/3 ns | <175 ps/<175 ps | <175 ps/<175 ps |
响应度 | 0.47 A/W | 0.6 A/W | 0.47 A/W | 0.56 A/W | 0.9 A/W | 0.85 A/W |
电源 | 9 VDC | 24 VDC | 9 VDC | 24 VDC | 6 VDC | 6 VDC |
带宽 | >1.2 GHz | >25 MHz | >1.1 GHz | >118 MHz | >2 GHz | >1.5 GHz |
有效面积直径 | 0.4 mm | 4.57 mm | 0.4 mm | 2.55 mm | 100 µm | 100 µm |
有效面积 | <0.1 nA | <10 nA | <0.1 nA | <10 nA | <2.0 nA | <1.0 nA |
接受角度(1/2) | 10⁰ | 60⁰ | N/Ab | 50⁰ | 20⁰ | N/Ab |
噪声等效功率(pW/√Hz) | <0.01 pW/√Hz | <0.09 pW/√Hz | <0.01 pW/√Hz | <0.10 pW/√Hz | <0.03 pW/√Hz | <0.02 pW/√Hz |
大线功率 | CW current: 3 mA | CW current: 2 mA | CW current: 3 mA | CW current: 2.5 mA | CW current: 5 mA | CW current: 5 mA |
固定螺丝 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 |
输出接口 | BNC | BNC | BNC | BNC | BNC | BNC |
带宽>10 GHz 光电探测器主要参数
型号 | 120-10058-0001 | 120-10068-0001 | 120-10071-0001 | 120-10081-0001 | 120-10105-0001 | 120-10104-0001 |
探测器材料 | InGaAs | InGaAs | GaAs | GaAs | InGaAs | InGaAs |
上升/下降时间 | <25 ps/<25 ps | <25 ps/<25 ps | <30 ps/<30 ps | <30 ps/<30 ps | 28 ps/28 ps | 28 ps/28 ps |
响应度 | >0.90 A/W | >0.65 A/W at | 0.53 A/W | 0.38 A/W | 1.3 A/W | 0.95 A/W |
电源 | 6 VDC | 6 VDC | 3 VDC | 3 VDC | 6 VDC | 6 VDC |
带宽 | >15 GHz | >15 GHz | >12.5 GHz | >12.5 GHz | >12.5 GHz | >12.5 GHz |
有效面积直径 | 32µm | 32 µm | 60 µm | 60 µm | 40 µm | 40 µm |
有效面积 | <3 nA | <3 nA | <0.5 nA | <0.5 nA | <1 µA | <1 µA |
接受角度(1/2) | 15⁰ | N/A | 15⁰ | N/A | 20⁰ | N/A |
噪声等效功率(pW/√Hz) | 20 pW/√Hz | 28 pW/√Hz | 35 pW/√Hz | 45 pW/√Hz | 15 pW/√Hz | 20 pW/√Hz |
大线功率 | 10 Mw | 10 mW | 10 mW | 10 mW | 3 mA | 3 mA |
固定螺丝 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 |
输出接口 | SMA | SMA | SMA | SMA | SMA | SMA |
光纤接头 | N/A | FC/UPC, SMF28e | N/A | FC/UPC, SMF28e | N/A | FC/UPC |
带放大探测器
内部集成放大器,监控高重频、外部调制激光,监测<1mW激光。
型号 | 120-10013-0001 | 120-10036-0001 |
探测器材料 | Silicon | InGaAs |
上升/下降时间 | <500 ps/<500 ps | <400 ps/<400 ps |
响应度 | 450 V/W | 900 V/W |
电源 | 24 VDC | 24 VDC |
带宽 | 30 kHz to 1.2 GHz | 30 kHz to 1.5 GHz |
有效面积直径 | 400 µm | 100 µm |
有效面积 | 10⁰ | 20⁰ |
接受角度(1/2) | <60 pW/√Hz | <30 pW/√Hz |
噪声等效功率(pW/√Hz) | 1 mV/µA | 1 mV/µA |
大线功率 | 1.3 V peak | 1.3 V peak |
固定螺丝 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 |
输出接口 | BNC | BNC |
光纤接头 | N/A | N/A |